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CLPT立鼎光电制冷型铟镓砷短波红外芯片

CLPT立鼎光电制冷型铟镓砷短波红外芯片

在900nm-1700nm的近红外成像和成像光谱技术,尤其是在非制冷条件下的优化解决方案,CLPT的核心技术是实现优良品质的InGaAs焦平面阵列。灵敏度可以通过使用嵌入式TEC进一步提高,高可靠性可以通过密封金属封装来实现,且性价比高,供货量充足。

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  • 发货地:陕西 西安
  • 发货期限:60天内发货
  • 供货总量: 1000个
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  • 陕西 西安
  • 各波段光电探测器,短波红外相机,科研级相机,通用测试仪器设备

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  • 地   址:
    陕西 西安 雁塔区 陕西省西安市高新区毕原三路与上林苑九路东南角亿恒泰来科技产业园 2号楼304
产品特性:铟镓砷芯片是否进口:否产地:台湾
品牌:CLPT中华立鼎型号:FPA-320×256加工定制:否

CLPT立鼎光电制冷型铟镓砷短波红外芯片详细介绍

1、产品介绍

       InGaAs面阵探测器的响应波段为900-1700nm/2200nm,320x256分辨率,采用CLCC或Kovar气密封装,非制冷与制冷可选。

2、产品特点

  ●大感光面                  

  ●高响应率                   

  ●高灵敏度                   

  ●高阻抗

  ●低暗电流                  

  ●高动态范围

3、参数表


型号

FPA-320×256-C

FPA-320×256-K-TE1/TE2

FPA-320×256-K-2.2-TE1/TE2

材料

InGaAs

InGaAs

InGaAs

响应波段

0.9um-1.7um

0.9um-1.7um

1.2um-2.2um

图像分辨率

320×256

320×256

320×256

像元尺寸

30um

30um

30um

靶面尺寸

9.6mm×7.68mm

9.6mm×7.68mm

9.6mm×7.68mm

封装

44-pin   CLCC

28-pin   MDIP

28-pin   MDIP

重量

1.6g

24.6g/25.6g

24.6g

有效像元率

>99.5%

>***

>97%

暗电流

<0.4pA

≤0.4pA

≤10pA

***效率

≥70%

≥70%

≥70%

填充率

>***

>***

>***

串扰

<1%

<1%

/

探测率

≥5×1012J

≥5×1012J (TE1)

≥7.5×1012J(TE2)

≥1×1012J

响应非均匀性

≤10%

≤10%

≤40%

非线性(偏差)

≤2%

≤2%

≤2%

像素率

10MHz

10MHz

10MHz

增益

High:13.3uV/e-   Low:0.7 uV/e-

High:13.3uV/e-

Low:0.7 uV/e-

High:13.3uV/e-

Low:0.7   uV/e-

满阱容量

High:170Ke-   Low:3.5Me-

High:170Ke-   Low:3.5Me-

High:170Ke-   Low:3.5Me-

TEC   制冷

TE1/TE2

TE1/TE2

工作温度

-20℃—85℃

-20℃—85℃

-20℃—85℃

储存温度

-40℃—85℃

-40℃—85℃

-40℃—85℃

功耗

175mw

175mw**

175mw**

 **不带制冷

  ●边海防监控                 ●太阳能电池检查                 ●半导体检测               ●激光光斑检测

  ●高光谱成像                 ●医疗OCT成像                    ●辅助驾驶视觉增强     ●森林防火 



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